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我院总经理夏连鲲出席英诺赛科(苏州)第三代半导体芯片EPC项目量产暨研发楼奠基仪式

日期: 2021-06-11

   近日,由我院承接的英诺赛科(苏州)半导体有限公司第三代半导体EPC项目8英寸硅基氮化镓芯片顺利投入量产,同时量产暨研发楼奠基仪式在江苏汾湖高新区隆重举行。
  我院总经理夏连鲲、首席技术官杨光明、院副总工程师刘书兴,希达工程董事长刘奕、副总经理刘玥等受邀出席仪式。
  本次奠基的研发楼由我院负责设计,目前已经完成设计方案报审,计划年底前开工建设。研发楼建筑面积3.5万平方米,共10层,高50米,涵盖办公、研发、餐厅三大功能。我院将充分发挥设计、管理、合作建设的综合优势,以专业、优质、精良的服务,助力英诺赛科(苏州)半导体有限公司生产与研发各项目顺利进行。
  英诺赛科(苏州)半导体有限公司致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化、是全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司,第三代半导体项目8英寸硅基氮化镓芯片投入量产标志着英诺赛科成为世界上第一家实现8英寸硅基氮化镓(GaN)量产的企业。量产后产能将逐步爬坡,2021年底产能可达6000片/月,2022年底项目全部达产后苏州工厂将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆。




  
  
  


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